Weiterentwicklung der SiC-Technologie, Steigerung der Wechselrichtereffizienz auf ein neues Niveau

Wir konzentrieren uns auf tiefgreifende Forschung und Entwicklung sowie die industrielle Anwendung der SiC-Technologie. Mit soliden technologischen Innovationen definieren wir die Grenzen der Energieumwandlungseffizienz neu und bieten Kunden weltweit hocheffiziente, stabile und zuverlässige Energieumwandlungslösungen.

Herkömmliche Wechselrichter auf Siliziumbasis sind durch die Materialeigenschaften eingeschränkt und zeichnen sich durch hohe Schaltverluste, niedrige Betriebsfrequenz und schlechte Wärmeableitung aus. Ihre Umwandlungseffizienz liegt auf einem niedrigen Niveau und wird den Anforderungen moderner tragbarer Energiespeicher an Gewicht, Hochfrequenz und hohem Wirkungsgrad nicht gerecht.

Als Halbleiter mit großer Bandlücke bietet SiC herausragende Vorteile:Extrem geringer Schaltverlust, hohe Temperaturbeständigkeit, hohe Durchbruchspannung und hervorragende Wärmeleitfähigkeit. Es übertrifft die Leistungsgrenzen herkömmlicher Siliziumlösungen deutlich.

Der SiC-MOSFET reduziert Schalt- und Sperrverzögerungsverluste erheblich und unterstützt eine viel höhere Betriebsfrequenz. Unter den gleichen Arbeitsbedingungen reduzieren SiC-Wechselrichter den Gesamtleistungsverlust erheblich und erreichen einen extrem hohen Umwandlungswirkungsgrad, der weit über dem herkömmlicher Produkte liegt, wobei sie auch bei Betrieb mit geringer Last eine überlegene Leistung beibehalten.

SiC-Geräte verfügen über eine hervorragende Hochtemperaturbeständigkeit und arbeiten auch unter extremen thermischen Bedingungen stabil, wodurch die Wärmeableitungsstrukturen effektiv verkleinert und die allgemeine Betriebszuverlässigkeit verbessert werden. Eine höhere Betriebsfrequenz miniaturisiert auch Induktivitäten und Kondensatoren und steigert so die Leistungsdichte erheblichhohe effizienz und portabilität.

Wir haben ein komplettes Forschungs- und Entwicklungssystem für die SiC-Technologie eingerichtet, das eine unabhängige Kontrolle über Kernverbindungen einschließlich Geräteauswahl, Topologiedesign und Wärmemanagement ermöglicht. Durch den Einsatz selbst entwickelter Steuerungsalgorithmen und fortschrittlicher Verpackungsprozesse nutzen wir die Leistungsvorteile von SiC voll aus und sorgen so für eine langfristig stabile Hochleistungsabgabe.

Unsere SiC-fähigen Wechselrichter und tragbaren Energiespeicherprodukte sind vielseitig einsetzbar für Outdoor-Camping-, Notstromversorgungs- und PV-Energiespeicherszenarien für Privathaushalte und maximieren die Energienutzungseffizienz.

Auf dem wettbewerbsintensiven Energiespeichermarkt ist die Kerntechnologie die Grundlage für eine langfristige Entwicklung. Basierend auf der SiC-Innovation überschreiten wir kontinuierlich Effizienzgrenzen und setzen neue Branchenmaßstäbe mit geringem Verlust, hohem Wirkungsgrad und hoher Stabilität.

In Zukunft werden wir weiterhin Halbleitertechnologien mit großer Bandlücke erforschen, Produktverbesserungen mit solider Forschungs- und Entwicklungsstärke ermöglichen, zur globalen Entwicklung grüner Energie beitragen und Anwendern auf der ganzen Welt zuverlässige und effiziente unabhängige Stromversorgungslösungen anbieten.