Einführung in die Stromversorgungsschaltung für tragbare Energiespeicher(2)
Die Ausgangsspannung und -frequenz dieser technischen Lösung sind einstellbar und die Anwendbarkeit ist gut. Es kann an elektrische Geräte in verschiedenen Ländern angepasst werden. Es ist bequem zu verwenden, verbessert die Benutzererfahrung und hat eine einfache Schaltungsstruktur und ist einfach zu implementieren.
Abbildung 1

Wie in Fig. 1 gezeigt, enthält eine Stromversorgungsschaltung für einen tragbaren Energiespeicher eine DC/DC-Verstärkungsschaltung 1, eine Wechselrichterschaltung 2, einen Prozessor 3, eine Ausgangsspannungseinstellschaltung 4 und eine Ausgangsfrequenzeinstellschaltung 5 und den DC/DC Boost-Schaltung Das Eingangsende von 1 wird zum Anschließen von Batterie 6 verwendet, und Batterie 6 kann die Batterie verschiedener vorhandener tragbarer Energiespeicherquellen sein, wie Lithiumbatterie usw., kann 12 V, 24 V oder 48 V usw. sein.
Der Ausgangsanschluss der DC/DC-Erhöhungsschaltung 1 ist mit dem Eingangsanschluss der Inverterschaltung 2 verbunden, und die Ausgangsanschlüsse der Ausgangsspannungseinstellschaltung 4 und der Ausgangsfrequenzeinstellschaltung 5 sind jeweils mit dem Eingangsanschluss verbunden des Prozessors 3, und der Prozessor 3 wird zum Ausgeben der Spannung gemäß der Ausgangsspannung verwendet. Die Eingangssignale der Einstellschaltung 4 und der Ausgangsfrequenz-Einstellschaltung 5 treiben entsprechend die Schaltröhre der Wechselrichterschaltung 2 an, um eine entsprechende Spannung und Frequenz auszugeben.
Die DC/DC-Verstärkungsschaltung 1 enthält eine Gegentakt-Verstärkungsschaltung und eine Gleichrichterschaltung, der Eingangsanschluss der Gegentakt-Verstärkungsschaltung wird verwendet, um mit der Batterie 6 verbunden zu werden, der Ausgangsanschluss der Gegentakt-Verstärkungsschaltung ist verbunden mit dem Eingangsanschluss der Gleichrichterschaltung und der Gegentakt-Verstärkungsschaltung. Die Schaltröhren Q15 und Q16 der Schaltung werden durch den Einchip-Mikrocomputer IC6 angesteuert und gesteuert, und der Ausgangsanschluss der Gleichrichtungsschaltung ist mit dem Eingang verbunden Anschluss der Inverterschaltung 2 . Die Push-Pull-Boost-Schaltung wird angenommen, die Schaltungsstruktur ist einfach, die Anzahl der Schaltröhren ist klein und der von der PCB eingenommene Platz ist klein, aber sie ist nicht darauf beschränkt. Bei einigen Ausführungsformen können auch andere vorhandene DC/DC-Boost-Schaltungen zur Implementierung verwendet werden.
Die Wechselrichterschaltung 2 besteht aus vier IGBT-Röhren Q1–Q4, was die Vorteile einer niedrigen Antriebsleistung und einer niedrigen Sättigungsspannung hat, aber nicht darauf beschränkt ist. Bei manchen Ausführungsbeispielen kann die Inverterschaltung 2 auch aus Schaltröhren wie etwa MOS-Röhren bestehen. . Die vier IGBT-Röhren Q1-Q4 werden jeweils vom Mikrocontroller IC6 angesteuert und gesteuert. Siehe Abbildung 2 für spezifische Schaltungsanschlüsse.
Die Gangauswahlschaltung für die Ausgangsspannung umfasst 110-V-Gang und 230-V-Gang, die für die elektrische Ausrüstung in den meisten Ländern geeignet sind, aber nicht darauf beschränkt sind. In einigen Ausführungsformen können die Anzahl der Gänge der Ausgangsspannungs-Gangauswahlschaltung und die Spannung jedes Gangs gemäß den tatsächlichen Bedürfnissen eingestellt werden.
Die Ausgangsfrequenz-Gangauswahlschaltung umfasst einen 50-Hz-Gang und einen 60-Hz-Gang, die für elektrische Geräte in den meisten Ländern geeignet sind, aber nicht darauf beschränkt sind. In einigen Ausführungsformen können die Anzahl der Gänge der Ausgangsfrequenz-Gangauswahlschaltung und die Frequenz jedes Gangs gemäß den tatsächlichen Bedürfnissen eingestellt werden.
Figur 2

Arbeitsprinzip:
Die DC/DC-Aufwärtsschaltung 1 hebt die Spannung der Batterie 6 auf über 230 V an. Wenn die Ausgangsspannungseinstellschaltung 4 auf den 230-V-Gang eingestellt ist, steuert der Prozessor 3 den Arbeitszyklus der IGBT-Röhren Q1–Q4 entsprechend, so dass die Ausgangswechselspannung 230 V beträgt; wenn die Ausgangsspannungseinstellschaltung 4 auf den 110-V-Gang eingestellt ist, halbiert der Prozessor 3 den Arbeitszyklus der IGBT-Röhren Q1–Q4 entsprechend, so dass die Ausgangswechselspannung 110 V beträgt; wenn die Ausgangsfrequenz-Einstellschaltung 5 auf 50 Hz eingestellt ist, steuert der Prozessor 3 die Antriebsfrequenz der IGBT-Röhre Q1-Q4 entsprechend, so dass die Ausgangswechselstromfrequenz 50 Hz beträgt; Wenn die Ausgangsfrequenz-Einstellschaltung 5 auf den Gang von 60 Hz eingestellt ist, erhöht der Prozessor 3 die Frequenz entsprechend. Die Ansteuerfrequenz der IGBT-Röhre Q1-Q4 macht die Ausgangswechselstromfrequenz zu 60 Hz, so dass die Ausgangsspannung und -frequenz eingestellt werden können. Die Anwendbarkeit ist gut und kann an die elektrische Ausrüstung in verschiedenen Ländern angepasst werden. Es ist bequem zu bedienen und verbessert die Benutzererfahrung. , und die Schaltungsstruktur ist einfach und leicht zu implementieren.
Das Stromüberwachungsmodul in der Energiespeicherstromversorgung wird hauptsächlich durch die Hall-Stromsensorschaltung realisiert.

Figur 4
CH704 ist ein isolierter integrierter Strommesschip, der speziell für Anwendungen zur Hochstromerkennung entwickelt wurde. CH704 hat einen eingebauten Primärleiterwiderstand von 0,1 mΩ, der die Chiperwärmung effektiv reduziert und die Erkennung großer Ströme unterstützt: ±50 A, ±100 A, ±150 A, ±200 A. Es integriert eine einzigartige Temperaturkompensationsschaltung, um eine gute Konsistenz im gesamten Temperaturbereich des Chips von -40 bis 150 °C zu erreichen. Der Chip wird vor dem Verlassen des Werks auf Empfindlichkeit und Ruheausgangsspannung (Nullstrom) kalibriert und bietet eine typische Genauigkeit von ±2 % über den gesamten Temperaturbereich.
Die Produktparameter sind wie folgt:
• Isolationsspannung: 4800 Veff
• AEC-Q100-Kfz-Qualifizierung (CH704A)
• Stromversorgung: 4,5-5,5 V
• Ausgangsspannung proportional zum Strom: +/-50A, +/-100A, +/-150A, +/-200A
• Bandbreite: 120 kHz
• Reaktionszeit: 2 us
• Großer Temperaturbereich: -40 °C bis 150 °C
• Offset- und Empfindlichkeitseinstellung mit hoher Auflösung über EEPROM
• Leitungswiderstand: 0,1 mΩ
• Integrierte digitale Temperaturkompensationsschaltung
• Nahezu keine Hysterese
• Ratiometrische Ausgabe der Versorgungsspannung
• Beständigkeit gegen externe Magnetfelder
Häufig gestellte Fragen zu unseren Solarstromgeneratoren
Einführung in die Stromversorgungsschaltung für tragbare Energiespeicher(1)
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